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电子元器件详细资料 » IC[12626] » BSP129E6327
型号:BSP129E6327类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-261-4,TO-261AA描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
系列SIPMOS®
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss)240V
电流_连续漏极(Id)0a025000C350mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C6 欧姆 @ 350mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 108µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs5.7nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds108pF @ 25V
功率_最大1.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装PG-SOT223-4
包装剪切带 (CT)

供应商

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